市场预估存储涨价效应将持续；原厂库存水位已下降到10周

  据《日经新闻》报道，全球内存销售最糟时期已过，随着三星电子等内存大厂减产、过剩情况消退，价格停止下跌。在智能手机、PC上用于暂时储存数据的DRAM价格止跌、2023年8月份指标性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为每个1.48美元左右、同于前一个月份（2023年7月）水准，连续第4个月持平（未下跌）。

  据报道，DDR4 8Gb产品价格自2022年春天起的1年间、暴跌45%，随着行情低迷，各家内存厂商业绩恶化，自2022年秋天起着手进行减产、压缩库存，而随着减产效果显现、过剩情况缓解，也让价格停止下跌。

  三井住友信托银行的山上隼人以三星电子、SK海力士、美光等厂商的存货资产等为依据，计算出「库存周转天数」，在2023年4-6月时平均为151天、较近期最高纪录的2022年10-12月（158天、过去10年来最长）缩短4%。因销售出现改善，市场也传出「DRAM价格应该不会再往下跌」的声音。

  据台媒《科技新报》报道，受惠存储大厂的持续减产，加上市场库存去化显现效益，预计在NAND Flash价格开始回温之后，DRAM价格也将随着涨价。显示存储厂商在经历有史以来最长的跌价周期之后，终于见到隧道的出口。

  NAND Flash供应商为减少亏损的情况下，2023年以来已经进行多次减产，借此希望拉抬价格，停止价格的在继续往下探。如此动作开始奏效，市场传出NAND Flash的晶圆合约价于8月反弹，而且到9月也持续调涨，使得NAND Flash价格领先DRAM提早反弹。

  其中，因为龙头三星为了亏损持续扩大而进行的持续减产动作，主要以128层堆叠以下的产品为主，使得9月份的产量减少近50%，带动了整体的市场跟着做出减产动作，使调整库存的效益展现，使得市场预估第四季NAND Flash价格还将持续上涨。市调机构也对第4季NAND Flash报价乐观，预估涨幅将约3%至8%，高于原先预估的0%至5%。

  DRAM方面，虽然较NAND Flash晚涨价，然而，随着大厂减产的效益展现，使得库存去化速度加快，逐渐回到健康水位的情况下，也预计跟着从第四季开始回涨，而且市场预计，这波的涨势将是下一个上升周期的起始点。

  市场人士指出，DRAM这波的价格持续上涨，除了大厂减产、库存去化等因素之外，也和AI市场有关。原因是人工智能应用在数据中心市场需求的DDR5产能供应有限，因此在需求提升下，价格先一波上涨。另外，大厂陆续已经退出的DDR3，目前因为产能少，但仍有市场需求的情况下，成为涨幅较大的品项。

  至于，当前主流的DDR4，虽然厂商努力清除大量库存，希望能进一步拉抬价格。然而，市场仍有不利的消息，就是英特尔新推出的Meteor Lake运算平台仅支持DDR5，不向下支持DD4，这对目前DDR4库存仍高的厂商来说，将成为另一压力。所以，接下来是否能顺利化解这不利因素，则有待观察。

  总体来说，当前存储大厂的持续减产，让库存消化开始出现成效，也导致了价格的上扬。另外，配合市场需求等因素，市场预估涨价的效应将会持续，进一步延长这波涨价的时间。

  据台媒《工商时报》报道，国际原厂减产效应显现，下游积极补库存，8月开始，存储价量齐扬；业者预期，原厂库存消化速度加快，目前已经来到10周，一旦降至8周以下，将是健康水准，这波涨价可能是存储回到正向循环的起点，华邦电、南亚科等后市可望受惠。

  根据法人对供应链访查，目前两大韩厂存储库存水准约10周，较2023年上半年的高峰20周以上，已出现明显下降，其中，DRAM库存去化状况较佳，

  两大韩厂近期法说会中皆预期，2023年第三季DRAM位元出货量，将季增双位数以上。目前DRAM谷底已过且库存正趋于健康，预期后续产业将逐季复苏。

  不过业者分析，年初到现在原厂喊涨价已喊好几次，虽有拉升报价，但下游没有什么成交，市场需求平平。

  好在原厂减产的效益逐渐显现，下游开始积极补库存，自8月开始，存储价量齐扬，预期原厂库存消化速度也加快。

  从价格来看，8月NAND价格先涨，DRAM接续上涨。DDR5因为量少，且数据中心需求带动出货量增，自7月开始上涨。

  DDR4市场上库存最多，直至8月底才开始有涨价迹象；DDR3则因为原厂已没有生产，虽然需求少，但供给更少，因此，涨幅最为明显。

  业者估计，原厂减产的效果，大约需要两季才会反映在报价上，近期市场涨价，主要是反映上半年减产。至于今年下半年减产，则预期时间点于明年上半年，会在价格上再次反映一波。

  就需求面来看，原厂先前第一波减产，对市场需求产生短期刺激效果，但因为成交量不大，库存还是很多，报价又继续下跌。

  原厂第二次及第三减产，则看到成交量上升，减产效益逐渐显现，原厂库存消化速度也增快，预期存储供需结构，将朝向正向方向发展。

  据韩联社引述多个消息来源报道，美国可能最早在本周宣布让韩国芯片制造商无限期豁免于美国对中国大陆的半导体相关出口管制措施，这将让三星电子和SK海力士能够把芯片制造设备运往它们在中国大陆的工厂。

  报道说，美国可能会在目前的一年豁免期于10月11日到期之前，向三星电子和SK海力士通知上述决定。

  无限期豁免将透过更新「获验证终端使用者」（Validated End-User，VEU）清单来取得。只要被纳入这份清单，就无需另外取得单独的许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被永久暂停。

  据台媒《财经新报》报道，存储大厂旺宏董事长吴敏求表示，当前AI市场的需求大增，的确有助于一些产品的业绩与发展，但却不能够支撑整个半导体市场。而且，当前整体经济状况并不好的情况下，市场库存去化时间会较预期的久。预计最快可能好转的时间将落在2024 年下半年，不过届时行情是不是能够真的好转，还有很多变数，目前看不清楚。

  吴敏求26日在媒体访谈表示，人工智能主要受惠者是GPU，因为GPU就像储存设备一般，能将藉由的数据或图像控制得比过去CPU还好。然而对存储来说，对DRAM、NAND Flash等产品也会有所帮助，但是对Nor Flash就没什么影响。另外，生成人工智能的应用关键在于软件，所以软件写得好的也能从此中受惠。因此，旺宏在这波人工智能风潮中，没有进一步跟风。

  另外，针对景气的看法，吴敏求强调，2年前市场大好时需求大增，使得企业以当时的需求大量下订。然而在景气反转，加上经济下滑之后，库存水位大幅度的提高，造成了当前库存去化时间的情况会预期久的情况。目前，整个欧美的行情都不好，原因主要在于景气与俄乌战争。

  至于何时行情能好转，吴敏求表示，这就要看这一些因素要持续多久。在短时间看不到缓解情况下，2023年下半年及2024年上半年看来都不会好，最快要等到2024年下半年才有机会。但是，当中还有许多的变数，届时是不是能真的恢复目前也还看不清楚。

  韩国存储大厂三星宣布，推出采用LPDDR设计的LPCAMM内存。三星表示，LPCAMM是业界首款低功耗压缩附加内存模组，目前传输速率为7.5Gbps 的LPCAMM样品已通过了英特尔平台的系统验证。其与SO-DIMM相比，LPCAMM性能提高了50%，能耗降低了70%，主板空间占用减少60%，可用于下一代桌上型和笔记型电脑，未来还可能会扩展到数据中心。

  三星指出，过去很久里，不少桌上型和笔记型电脑都是使用LPDDR记忆体，或以DDR为主的SO-DIMM。虽然LPDDR结构很紧凑，但封装在主板上会让维修或升级都很困难。另一方面，SO-DIMM的设计虽然很容易更换，但是，性能和体积等方面都受到限制。因此，新一代的LPCAMM克服了这两者的缺点，满足了更高效、更紧凑的要求，同时做为可拆卸模组，提高了PC制造商的灵活性。

  三星强调，LPCAMM的省电特性或许未来在服务器的应用上将变得着迷。因为理论上，能够大大减少总体拥有成本（TCO），在未来的数据中心与服务器解决方案中有巨大的潜力。

  对此，三星内存产品规划组执行副总裁Yongcheol Bae称，随着对高性能、低功耗和制造灵活性等创新内存解决方案的需求不断成长，LPCAMM有望得到普遍应用，三星也会与业界合作寻找更多可能。三星预计年底前将与主要客户一起使用下一代系统来进行测试，并计划在2024年达成产品商业化的目标。

  9月26日，英韧科技宣布旗下PCIe 5.0 SSD控制器YR S900正式量产。这是英韧科技自2017年成立以来量产的第八款芯片，这也是首款量产的PCIe 5.0企业级国产主控。

  据了解，该颗SSD控制器也是国内首颗采用RSIC-V架构的存储控制芯片。RISC-V是开源架构，能够保证芯片从设计、生产、制造全过程的安全和可持续，实现真正的IP安全、自主可控。

  YR S900采用4通道PCIe 5.0接口，支持NVMe 2.0，采用多核CPU并行的命令解决方法，充分的发挥PCIe 5.0的带宽优势：顺序读取速度高达14GB/s，顺序写入速度高达12GB/s，4K随机读速度可达3.5M IOPs，4K随机写速度可达2.5M IOPs。返回搜狐，查看更加多