浙江大学杭州世界科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶成长成功

  集微网音讯，浙大杭州科创中心发布音讯称，近来浙江大学杭州世界科创中心先进半导体研讨院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅资料国家要点实验室在浙江省“斥候方案”等研发项目的赞助下，成功成长出了厚度到达50 mm的6英寸碳化硅单晶。

  该重要展开意味着，碳化硅衬底本钱有望大幅度下降。现在，国内碳化硅单晶的直径现已遍及能到达6英寸，但其厚度通常在~20-30 mm之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量适当有限。

  50mm厚度的完结，一方面节省了贵重的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量可以翻倍，所以能大幅度下降碳化硅衬底的本钱。

  浙江大学杭州世界科创中心先进半导体研讨院紧紧围绕国家严重战略需求和浙江省战略性新兴产业展开布局，现在已获批浙江省宽禁带功率半导体资料与器材要点实验室，研讨院由杨德仁院士担任首席科学家，学术委员会主任由郑有炓院士担任，院长由盛况教授担任，整合浙江大学电气学院、资料学院、信电学院以及上下游相关企业力气，着力打造第三代半导体研发、制作、使用和测验点评全产业链的新格局。

  2020年11月， 浙大杭州科创中心先进半导体研讨院首炉碳化硅单晶成功“出炉”， 2021年4月，浙大杭州科创中心研发出第一批碳化硅晶圆，标志着科创中心具有了在碳化硅晶圆加工方面展开高水平研讨的才能。(校正/韩秀荣)

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